绍兴中芯集成电路制造股份有限公司关伟民获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利垂直腔面发射激光器外延结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115173226B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210891568.1，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器外延结构及其制作方法是由关伟民;李远哲;张希山设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直腔面发射激光器外延结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种垂直腔面发射激光器外延结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底，在衬底上依次形成第一缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、第二缓冲层、N型DBR层、有源层与P型DBR层；腐蚀截止层的材质包含掺杂硅的AlxGa1‑xyInzAsnPm。所述腐蚀截止层能够实现快速腐蚀，并且所述腐蚀截止层与所述衬底具有高腐蚀选择比，从而能够改善腐蚀不均匀的现象，改善衬底的残留，从而提高器件的质量与性能。
本发明授权垂直腔面发射激光器外延结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器外延结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，在所述衬底上依次形成第一缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、第二缓冲层、N型DBR层、有源层与P型DBR层； 所述腐蚀截止层的材质包含掺杂硅的AlxGa1-xyInzAsnPm，其中0x1，0y1，0z1，0n1，0m1，且n＜m； 在所述欧姆接触层与所述第二缓冲层之间还形成有第一应变层与第二应变层，所述第一应变层与所述第二应变层的材质均包含AlxGa1-xyInzAsnPmSiaObCc，其中，0x1，0y1，0z1，0n1，0m1，0a1，0b1，0c1，且y+z＝1，n+m＝1，a+b+c＝1，acb，所述第一应变层与所述第二应变层中P与As的含量均不同。
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