徐州金沙江半导体有限公司陈明获国家专利权
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龙图腾网获悉徐州金沙江半导体有限公司申请的专利一种GaN基HEMT外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632061B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210739956.8，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权一种GaN基HEMT外延结构及其制备方法是由陈明设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基HEMT外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN基HEMT外延结构及其制备方法，包括衬底基板，所述衬底基板上表面外延生长缓冲层；所述缓冲层上表面外延生长沟道层，所述沟道层上表面外延生长势垒层；所述势垒层上表面外延生长故意掺杂p型氮化镓层，所述故意掺杂p型氮化镓层为周期性结构，所述故意掺杂p型氮化镓层由自下而上的故意掺杂二茂镁GaN层、二茂镁层和未掺杂GaN层依次循环生长，通过利用镁原子的扩散效应与记忆效应，实现镁原子在故意掺杂p型氮化镓层中的均匀分布，减少镁原子在结构中的团簇现象，能有效增加p型层的空穴浓度，并且不使得GaN晶圆的外观与p型层的晶体质量变差，也不影响后续器件制作过程中的欧姆接触。
本发明授权一种GaN基HEMT外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基HEMT外延结构，包括衬底基板1，其特征在于：所述衬底基板1上表面外延生长缓冲层2；所述缓冲层2上表面外延生长沟道层3，所述沟道层3上表面外延生长势垒层4；所述势垒层4上表面外延生长故意掺杂p型氮化镓层5，所述故意掺杂p型氮化镓层5为周期性结构，所述故意掺杂p型氮化镓层5由自下而上的故意掺杂二茂镁GaN层51、二茂镁层52和未掺杂GaN层53依次循环生长。
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