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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利掺杂元素对HfO₂铁电薄膜畴结构影响的相场分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115221755B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210783101.5，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权掺杂元素对HfO₂铁电薄膜畴结构影响的相场分析方法是由蒋丽梅;杨宛亭;邓宇辉;廖宁涛;林鑫;朱冰妍;姜杰;杨琼设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本掺杂元素对HfO₂铁电薄膜畴结构影响的相场分析方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种掺杂元素对HfO2铁电薄膜畴结构影响的相场分析方法。该方法包括建立极化序参量的总能量方程；基于所述总能量方程建立基于掺硅元素影响的力场控制方程、极化场控制方程和电场控制方程；基于掺杂元素的化学能和梯度能建立掺杂元素能量方程；基于所述掺杂元素能量方程建立浓度场控制方程；根据所述力场控制方程、极化场控制方程、电场控制方程和浓度场控制方程建立铁电薄膜的相场计算模型；基于所述相场计算模型，通过调整掺杂元素的浓度和分布方式模拟所述HfO2铁电薄膜的相变规律。该方法通过引入掺杂元素的掺杂元素能量方程，使得HfO2铁电薄膜的相场计算模型能够为掺杂元素的浓度和分布方式提供优化指导。

本发明授权掺杂元素对HfO₂铁电薄膜畴结构影响的相场分析方法在权利要求书中公布了：1.一种掺杂元素对HfO2铁电薄膜畴结构影响的相场分析方法，其特征在于，包括： 考虑掺杂元素对HfO2铁电薄膜的影响，建立极化序参量的总能量方程； 基于所述总能量方程建立基于掺硅元素影响的力场控制方程、极化场控制方程和电场控制方程； 基于掺杂元素的化学能和梯度能建立掺杂元素能量方程； 基于所述掺杂元素能量方程建立浓度场控制方程； 根据所述力场控制方程、极化场控制方程、电场控制方程和浓度场控制方程建立掺杂元素影响下HfO2铁电薄膜的相场计算模型； 基于所述相场计算模型，通过调整掺杂元素的浓度和分布方式模拟所述HfO2铁电薄膜的相变规律； 所述掺杂元素能量方程如下： 其中，H为浓度的自由能，fc为与浓度相关的化学自由能量密度，kc为梯度能系数，c为掺杂元素浓度的守恒序参量； 基于掺杂元素的化学能和梯度能建立掺杂元素能量方程之后，还包括基于理想模型对fc进行修正： 所述理想模型如下： 其中，μc为偏导，μ0为常数，R为理想气体常数8.314J·mol-1·K-1，T为温度常数300K。

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