三星电子株式会社崔在薰获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111613602B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010115046.3，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体封装件是由崔在薰;姜思尹;金兑昱;吴华燮;崔朱伶设计研发完成，并于2020-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括第一重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接结构的所述第一表面上，并且包括连接到所述第一重新分布层的连接垫；包封剂，设置在所述连接结构的所述第一表面上并且包封所述半导体芯片；第二重新分布层，设置在所述包封剂上；布线结构，使所述第一重新分布层和所述第二重新分布层彼此连接并且沿堆叠方向延伸；以及散热元件，设置在所述连接结构的所述第二表面的至少一部分上。
本发明授权半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括： 连接结构，具有第一表面和第二表面并且包括第一重新分布层，其中，所述连接结构的所述第一表面与所述连接结构的所述第二表面彼此相对； 半导体芯片，设置在所述连接结构的所述第一表面上，并且包括连接到所述第一重新分布层的连接垫； 包封剂，设置在所述连接结构的所述第一表面上并且包封所述半导体芯片； 第二重新分布层，设置在所述包封剂上； 布线结构，使所述第一重新分布层和所述第二重新分布层彼此连接并且沿堆叠方向延伸；以及 散热元件，设置在所述连接结构的所述第二表面的至少一部分上， 其中，所述连接结构的所述第二表面包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域包括在堆叠方向上与所述半导体芯片叠置的区域， 其中，所述散热元件设置在所述第一区域上以使所述连接结构的所述第二区域暴露，并且所述半导体封装件还包括至少一个表面安装组件，所述至少一个表面安装组件设置在所述连接结构的所述第二区域上并且连接到所述第一重新分布层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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