意法半导体股份有限公司F·里奇尼获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有优化几何结构以降低辐射效应引起的偏移的MEMS设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111410167B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010015562.9，技术领域涉及：B81B5/00；该发明授权具有优化几何结构以降低辐射效应引起的偏移的MEMS设备是由F·里奇尼;A·托齐奥设计研发完成，并于2020-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有优化几何结构以降低辐射效应引起的偏移的MEMS设备在说明书摘要公布了：本公开涉及具有优化几何结构以降低辐射效应引起的偏移的MEMS设备。具有跷跷板结构的MEMS设备包括可移动质量块，可移动质量块具有在平面中的面积、以及在垂直于该平面的方向上的厚度。可移动质量块绕平行于该平面延伸的旋转轴是可倾斜的，并且由被布置在旋转轴的相对侧的第一和第二半质量块形成。第一和第二半质量块分别具有第一和第二形心，该第一和第二形心被分别布置在距旋转轴的第一距离b1和第二距离b2处。第一贯穿开口被形成在第一半质量块中，并且连同第一半质量块一起具有在平面中的第一总周长p1。第二贯穿开口被形成在第二半质量块中，并且连同第二半质量块一起具有在平面中的第二总周长p2，其中第一周长p1和第二周长p2满足以下方程：p1×b1＝p2×b2。
本发明授权具有优化几何结构以降低辐射效应引起的偏移的MEMS设备在权利要求书中公布了：1.一种MEMS设备，包括： 可移动质量块，所述可移动质量块具有在平面中的面积、以及在垂直于所述平面的方向上的厚度，所述可移动质量块绕平行于所述平面延伸的旋转轴是可倾斜的，并且从而形成被布置在所述旋转轴的相对侧的第一质量块部分和第二质量块部分，所述第一质量块部分和所述第二质量块部分分别具有第一形心和第二形心，所述第一形心和所述第二形心分别被布置在距所述旋转轴的第一距离b1和第二距离b2处； 在所述第一质量块部分中的多个第一贯穿开口，其中所述多个第一贯穿开口和所述第一质量块部分具有在所述平面中的第一总周长p1；以及 在所述第二质量块部分中的多个第二贯穿开口，其中所述多个第二贯穿开口和所述第二质量块部分具有在所述平面中的第二总周长p2， 其中所述第一总周长p1和所述第二总周长p2满足方程： p1×b1＝p2×b2；以及 其中所述可移动质量块具有均匀的厚度。
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