天津工业大学;天津工业大学绍兴柯桥研究院王亮获国家专利权
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龙图腾网获悉天津工业大学;天津工业大学绍兴柯桥研究院申请的专利一种Pd/P-MoS2/NF电极及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120272952B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510764904.X，技术领域涉及：C25B11/075；该发明授权一种Pd/P-MoS2/NF电极及其制备方法和应用是由王亮;张朝晖;李君敬;赵斌;尹孟华设计研发完成，并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Pd/P-MoS2/NF电极及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种PdP‑MoS2NF电极及其制备方法和应用，PdP‑MoS2NF电极的制备方法包括如下步骤：采用水热法制备纳米花状MoS2NF电极；采用煅烧法将磷源与纳米花状MoS2NF电极掺杂得到富缺陷P‑MoS2NF电极；采用电沉积法将钯元素负载于富缺陷P‑MoS2NF电极中得到富缺陷P‑MoS2NF载钯电极。本发明利用杂原子掺杂和缺陷工程的协同作用，引入了具有丰富活性位点的纳米花状结构的P‑MoS2作为PdNPs附着位点，以获得更佳的电极阴极材料，实现降低成本的同时提升效果。
本发明授权一种Pd/P-MoS2/NF电极及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种PdP-MoS2NF电极的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤S1：采用水热法制备纳米花状MoS2NF电极； 步骤S2：采用煅烧法将磷源与纳米花状MoS2NF电极掺杂得到富缺陷P-MoS2NF电极； 步骤S3：采用电沉积法将钯元素负载于富缺陷P-MoS2NF电极中得到富缺陷P-MoS2NF载钯电极； 所述磷源与纳米花状MoS2NF电极的摩尔比为（1-2.3）：3.3。
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