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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种非对称高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264801B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510727346.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种非对称高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法是由胡臻;何佳;陈彤;周海设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非对称高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种非对称高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成分流区、P型阱区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成肖特基金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型基区、P型源区、N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成源极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积形成绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层，去除阻挡层，完成制备，采用了非对称沟槽栅结构，单侧保证器件的导通后特性，单侧保证器件体二极管续流特性，提高了器件的可靠性。

本发明授权一种非对称高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非对称高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成分流区； 步骤3、离子注入，形成P型阱区； 步骤4、刻蚀漂移层以及P型阱区，淀积金属，形成肖特基金属层； 步骤5、离子注入，形成P型基区； 步骤6、离子注入，形成P型源区； 步骤7、离子注入，形成N型源区； 步骤8、刻蚀漂移层至P型源区上侧面，淀积金属，形成源极金属层； 步骤9、刻蚀漂移层、分流区以及P型阱区，形成第一凹槽，淀积形成绝缘介质层； 步骤10、刻蚀绝缘介质层形成沟槽，淀积金属，形成栅极金属层，去除阻挡层，完成制备； 在步骤3、5-7中离子注入前，以及在步骤4、8-10中，刻蚀前，均需去除上一步的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔； 分流区位于第一凹槽的左下角，P型基区下侧面连接至分流区，位于第一凹槽左侧； P型源区下侧面连接至P型阱区上侧面； N型源区下侧面分别连接P型阱区以及P型基区，N型源区与P型源区连接； 肖特基金属层下侧面连接至漂移层，肖特基金属层一侧面连接至P型阱区一侧面以及N型源区一侧面； 绝缘介质层外侧面分别连接P型源区、N型源区、P型阱区、P型基区以及分流区。

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