河北工业大学陈贵锋获国家专利权
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龙图腾网获悉河北工业大学申请的专利一种制备自剥离氮化铝薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120231132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510713963.4，技术领域涉及：C30B29/40；该发明授权一种制备自剥离氮化铝薄膜的方法是由陈贵锋;韩海生;李红实;李易凡;冯柏宁;李朝元;张辉;解新建;房毅;王彦君设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制备自剥离氮化铝薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种制备自剥离氮化铝薄膜的方法，该方法能够在蓝宝石衬底上使用金属氮化物气象外延法（MNVPE）生长自剥离或自分离的氮化铝薄膜，方法包括：首先对衬底进行预处理，增加衬底上氮化铝的形核率，之后进行缓冲层岛状3D生长，再关闭所有气源，进行薄膜生长前温度准备，然后通入气体进行薄膜2D生长，生长结束后冷却取出，得到可自剥离的氮化铝薄膜。本发明的方法能够有效避免将氮化铝薄膜从衬底剥离引入机械损伤，能够保证晶体质量，降低成本，具有高效、绿色的特点。
本发明授权一种制备自剥离氮化铝薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备自剥离氮化铝薄膜的方法，包括在能够同时通入氩气、氮气且具有源区、生长区独立控温的生长设备内，将铝颗粒置于源区，衬底置于生长区，所述的衬底为蓝宝石衬底，其特征在于，该方法还包括如下： 第一步，将源区温度升高至不低于1100℃，控制生长区温度不高于500℃，通入氮气、氩气，并控制气体流量，保温，对衬底进行预处理； 第二步，将源区温度进一步升高，同时控制生长区温度不低于1000℃，保持或增加氮气流量、减小氩气流量，保温，进行缓冲层岛状3D生长； 第三步，先关闭氩气、氮气，再进一步将源区温度升高至1400-1500℃，同时将生长区温度升高至1200-1600℃，以进行薄膜生长前温度准备； 第四步，通入氩气、氮气，并控制氩气为低速气流，氩气流量为50-200mlmin，进行薄膜2D生长；所述低速气流为低于第一步中氩气流量； 第五步，生长后以速度为30-60℃min快速降温使冷却至室温，取出样品，氮化铝薄膜实现自剥离。
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