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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120224722B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510698267.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及制备方法是由何佳;周海;李昀佶;陈彤设计研发完成，并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型一区、P型二区、P型阱区、栅保护区、凸起部及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，得到第一P型源区、第二P型源区以及凹槽，淀积形成，肖特基金属层、第一突起部、第二突起部、栅极金属层及绝缘介质层；淀积金属，形成源极金属层，提高器件漏极承受电压时可靠性。

本发明授权一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成P型一区； 步骤3、离子注入，形成P型二区； 步骤4、离子注入，分别形成P型阱区、栅保护区以及凸起部； 步骤5、离子注入，形成N型源区； 步骤6、刻蚀P型一区以及漂移层，得到第一P型源区、第二P型源区以及位于第一P型源区与第二P型源区之间的凹槽，在凹槽内淀积形成肖特基金属层，第二P型源区包裹P型阱区，P型阱区包裹N型源区； 步骤7、淀积形成第一绝缘层； 步骤8、淀积金属，形成第一突起部和第二突起部； 步骤9、淀积形成第二绝缘层； 步骤10、淀积金属，形成栅极金属层； 步骤11、淀积形成第三绝缘层，绝缘介质层包括第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层； 步骤12、去除步骤11的阻挡层，淀积金属，形成源极金属层； 在步骤3-5中离子注入前，在步骤6中刻蚀P型一区以及漂移层前，以及步骤7-11中淀积前，均需要去除上一步骤的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔； 栅极金属层下部设有第一突起部和第二突起部；第一突起部以及第二突起部位于凸起部与N型源区之间的P型阱区正上方，第一突起部的宽度等于第二突起部的宽度，第一突起部的宽度等于凸起部与N型源区之间的距离。

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