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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种增强型多层陶瓷的碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120201754B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510669212.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种增强型多层陶瓷的碳化硅VDMOS及制备方法是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强型多层陶瓷的碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种增强型多层陶瓷的碳化硅VDMOS及制备方法，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，当个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、P阱层和N阱层，所述栅极包括左侧栅、陶瓷介质和右侧栅，所述陶瓷介质位于左侧栅和右侧栅的中间位置；所述N漂移层的内部通过离子注入形成有高掺杂N+层，所述高掺杂N+层的截面轮廓呈“U”字形状。本发明通过“U”形高掺杂N+层设计，扩展载流子横向传输路径，显著提高导通电流密度和开关速度；结合低掺杂N‑层平衡电场分布，减少边缘畸变，增强击穿电压和器件可靠性。

本发明授权一种增强型多层陶瓷的碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型多层陶瓷的碳化硅VDMOS，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括漏极（1）、半导体外延层、源极（4）和栅极（8），其中栅极（8）位于栅沟槽内；所述半导体外延层包括N衬底层（2）、N漂移层（3）、P+层（5）、P阱层（6）和N阱层（7），所述P+层（5）的顶端与源极（4）接触，所述P+层（5）的右端与P阱层（6）的左端接触，并且P阱层（6）的右端延伸至栅极（8）的左侧并与栅沟槽的左侧接触，其特征在于：所述栅极（8）包括左侧栅（81）、陶瓷介质（82）和右侧栅（83），所述陶瓷介质（82）位于左侧栅（81）和右侧栅（83）的中间位置； 所述N漂移层（3）的内部通过离子注入形成有高掺杂N+层（9），所述高掺杂N+层（9）的截面轮廓呈“U”字形状，所述高掺杂N+层（9）位于栅沟槽的下方并与该栅沟槽的底部接触，并且高掺杂N+层（9）的左右端部仅与P阱层（6）接触； 所述高掺杂N+层（9）的内部通过离子注入形成有低掺杂N-层一（10），所述高掺杂N+层（9）位于P阱层（6）的正下方并与P阱层（6）接触，所述低掺杂N-层一（10）位于栅极（8）正下方，并且该低掺杂N-层一（10）与栅沟槽接触，其中低掺杂N-层一（10）将高掺杂N+层（9）分为左右两个部分。

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