上海聚跃检测技术有限公司尚跃获国家专利权
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龙图腾网获悉上海聚跃检测技术有限公司申请的专利一种半导体晶圆表面的芯片检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120214069B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510669112.4，技术领域涉及：G01N27/82；该发明授权一种半导体晶圆表面的芯片检测方法及系统是由尚跃;余夕霞设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体晶圆表面的芯片检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明属于芯片检测技术领域，公开一种半导体晶圆表面的芯片检测方法及系统，该方法包括：将电磁特征向量作为正样本指令信号，构建正样本数据库；扫描待测半导体晶圆表面芯片的电磁辐射信号，并在对电磁辐射信号实施加窗分帧处理后输出待匹配电磁辐射信号；将待匹配电磁辐射信号上传至正样本数据库进行区域截取处理，测量截取结果与正样本数据库任意正样本指令信号之间的距离，获取芯片电磁状态检测结果；模拟芯片阻抗不匹配情况，并根据模拟结果生成反射信号缺陷定性集合；匹配待测半导体晶圆表面芯片的缺陷，与芯片电磁状态检测结果结合预测待测半导体晶圆表面芯片的寿命。本发明可根据电磁反射信号，可检测芯片非表面、非显性的缺陷。
本发明授权一种半导体晶圆表面的芯片检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶圆表面的芯片检测方法，其特征在于，包括： 利用特征提取算法获取无缺陷的半导体晶圆表面芯片对应的电磁特征向量，并将电磁特征向量作为正样本指令信号，构建正样本数据库； 采用近场探头技术扫描待测半导体晶圆表面芯片的电磁辐射信号，并在对电磁辐射信号实施加窗分帧处理后，利用特征提取算法输出待匹配电磁辐射信号； 将待匹配电磁辐射信号上传至正样本数据库进行区域截取处理，测量截取结果与正样本数据库任意正样本指令信号之间的距离，获取芯片电磁状态检测结果； 在无缺陷的半导体晶圆表面芯片上加工多形式缺陷，模拟芯片阻抗不匹配情况，并根据模拟结果生成反射信号缺陷定性集合； 根据反射信号缺陷定性集合匹配待测半导体晶圆表面芯片的缺陷，并将缺陷结果与芯片电磁状态检测结果结合预测待测半导体晶圆表面芯片的寿命。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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