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龙图腾网获悉长鑫存储产品(合肥)有限公司申请的专利芯片老化测试装置及芯片老化测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120178009B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510661721.5，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权芯片老化测试装置及芯片老化测试方法是由王强;金云飞设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片老化测试装置及芯片老化测试方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种芯片老化测试装置及芯片老化测试方法，涉及半导体测试技术领域。该装置包括：多个测试腔体和多个缓冲腔体；每一测试腔体配备有第一温控组件，用以独立调控对应的测试腔体内的温度，使测试腔体具备恒定的测试温度，测试腔体用于对芯片组进行老化测试；缓冲腔体和测试腔体交替设置且形成有闭合空腔结构，闭合空腔结构用于收容至少一个测试核心组件，测试核心组件被配置为在闭合空腔结构内能够进行旋转运动，测试核心组件为芯片组内的各芯片提供测试信号；各缓冲腔体均包括至少两个隔断件，隔断件用于阻隔缓冲腔体与相邻测试腔体之间的气流交换；多个隔断件被配置为交替开合，以使芯片组能够进出缓冲腔体。可提高芯片老化测试效率。

本发明授权芯片老化测试装置及芯片老化测试方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片老化测试装置，其特征在于，包括： 多个测试腔体，每一所述测试腔体配备有第一温控组件，所述第一温控组件独立调控对应的所述测试腔体内的温度，以使得所述测试腔体具备恒定的测试温度，相邻的两个所述测试腔体的测试温度不同，所述测试腔体用于对芯片组进行老化测试； 多个缓冲腔体，所述缓冲腔体和所述测试腔体交替设置且形成有闭合空腔结构，所述闭合空腔结构用于收容至少一个测试核心组件，所述测试核心组件被配置为在所述闭合空腔结构内能够进行旋转运动，所述测试核心组件为所述芯片组内的各芯片提供测试信号； 各所述缓冲腔体均包括至少两个隔断件，所述隔断件用于阻隔所述缓冲腔体与相邻的所述测试腔体之间的气流交换；其中，多个所述隔断件被配置为交替开合，以使所述芯片组能够进出所述缓冲腔体； 各所述缓冲腔体均配备有第二温控组件，通过所述第二温控组件调整所述缓冲腔体内的温度，以使所述缓冲腔体内的温度介于相邻的两个所述测试腔体的测试温度之间； 在所述芯片组进入所述缓冲腔体之前，所述第二温控组件用以控制所述缓冲腔体内的温度调整至所述芯片组当前的测试温度。

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