南京邮电大学朱力获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利非易失性氧化物异质结突触晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187277B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510649971.7，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权非易失性氧化物异质结突触晶体管及其制备方法是由朱力;丁嘉豪;于志浩设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性氧化物异质结突触晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种非易失性氧化物异质结突触晶体管及其制备方法，属于人工突触技术领域。该晶体管包括衬底、高K栅介质层、P型N型氧化物半导体层及金属顶电极；通过对P型和N型氧化物的合理选择以及对器件工艺层面的深入探索，P型和N型氧化物接触后能形成良好的内建电场，在栅极施加不同脉冲电压模式，可对氧空位的动态迁移和P‑N结势垒宽度进行调控，进而影响沟道电阻，改变源漏电流大小，实现长时程增强与抑制的突触塑性行为的动态切换和稳定保持；此突触晶体管器件的制备工艺简单，生产工艺完善，并与现有CMOS工艺高度兼容，为发展基于硬件层面的多级可调谐动态神经形态计算系统提供了新思路。
本发明授权非易失性氧化物异质结突触晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性氧化物异质结突触晶体管，其特征在于，包括依次设置的衬底、高K栅介质层、P型氧化物半导体层、N型氧化物半导体层和金属顶电极； P型氧化物半导体选自具有丰富氧空位、高迁移率和窄带隙的材料； N型氧化物半导体选自具有高迁移率和高开关比的材料； P型和N型氧化物半导体接触后PN界面形成良好的内建电场； 在栅极施加不同脉冲电压模式，对氧空位的分布情况和P-N结势垒宽度进行调控，能影响沟道电阻，改变源漏电流大小，实现突触权重在长时程增强与长时程抑制两种状态间的可逆切换与稳定保持； P型氧化物半导体选自TeSeOx，P型氧化物半导体层的厚度为8~15nm； N型氧化物半导体选自IZO，N型氧化物半导体层的厚度为10~15nm。
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