江西兆驰半导体有限公司胡加辉获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种高空穴注入效率外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152458B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510631014.1，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种高空穴注入效率外延结构及其制备方法是由胡加辉;郑文杰;高虹;刘春杨;金从龙设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高空穴注入效率外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高空穴注入效率外延结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。本发明的外延结构包括缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱发光层、P‑GaN复合层和P型GaN层；P‑GaN复合层包括第一阶梯复合层、第二阶梯复合层和第三阶梯复合层；第一阶梯复合层包括第一InAlN层和第一InGaN层；第二阶梯复合层包括第二Mg掺杂InAlN层、第二AlN层和第二MgN层；第三阶梯复合层包括第三InAlN层、第三AlN层和第三InGaN层。本发明能够提高外延结构空穴注入效率并促进电子和空穴复合，从而提高芯片在低工作电流密度下的发光效率。
本发明授权一种高空穴注入效率外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高空穴注入效率外延结构，其特征在于，包括依次层叠的缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、多量子阱发光层、P-GaN复合层和P型GaN层； 所述P-GaN复合层包括依次层叠的第一阶梯复合层、第二阶梯复合层和第三阶梯复合层； 所述第一阶梯复合层包括依次周期性交替层叠的第一InAlN层和第一InGaN层； 所述第二阶梯复合层包括依次周期性交替层叠的第二Mg掺杂InAlN层、第二AlN层和第二MgN层； 所述第三阶梯复合层包括依次周期性交替层叠的第三InAlN层、第三AlN层和第三InGaN层； 所述第二Mg掺杂InAlN层中Mg掺杂浓度为5×1018atomscm3~5×1019atomscm3，且沿所述第二阶梯复合层的生长方向，Mg掺杂浓度逐层降低。
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