华中科技大学翟天佑获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种弛豫型忆阻器及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510612463.1，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种弛豫型忆阻器及其制备方法与应用是由翟天佑;宁可;秦澜浩;关朋飞;李渊设计研发完成，并于2025-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种弛豫型忆阻器及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件相关技术领域，其公开了一种弛豫型忆阻器及其制备方法与应用，所述忆阻器包括自下而上设置的底电极层、阻变层及顶电极层，所述顶电极层的材料为非活性金属单质或者含有非活性金属的合金；所述阻变层为无机分子晶体薄膜。所述忆阻器采用非活性金属作为忆阻器顶电极层的材料，并控制导电丝在无机分子晶体阻变层中的生长过程，从而获得稳定可调的电导状态，进一步将实现对模拟电信号的精确映射，为基于忆阻器的神经形态计算提供更高的精度。
本发明授权一种弛豫型忆阻器及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种弛豫型忆阻器，其特征在于： 所述忆阻器包括自下而上设置的底电极层、阻变层及顶电极层，所述顶电极层的材料为非活性金属单质或者含有非活性金属的合金；所述阻变层为无机分子晶体薄膜； 所述非活性金属单质为锑、金、钌、铂中的任一种；所述合金含有锑、金、钌、铂中的两种以上，任一掺杂组元的原子大于5%；所述无机分子晶体薄膜的材料为Sb2O3或As2O3中的一种。
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