上海安其威微电子科技有限公司王天阳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海安其威微电子科技有限公司申请的专利一种压控衰减器和射频芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120128134B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510609225.5，技术领域涉及：H03H11/24；该发明授权一种压控衰减器和射频芯片是由王天阳;王曾祺设计研发完成，并于2025-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压控衰减器和射频芯片在说明书摘要公布了：本公开涉及集成电路领域，针对压控衰减器的衰减斜率误差较大的问题，提供了一种压控衰减器和射频芯片，包括信号衰减电路和第一控制电路，第一控制电路包括电流镜结构；电流镜结构具有输入支路和输出支路，输出支路复制输入支路的电流；输入支路具有第一晶体管，第一晶体管的输出端与标准地之间连接第一电阻、且第一晶体管的输出端连接外部电压接口；输出支路具有第二晶体管，第二晶体管的输出端与标准地之间连接模拟支路，模拟支路与信号衰减电路中的衰减支路的结构相同；衰减支路包括第三晶体管，第三晶体管的控制端直接或间接连接第二晶体管的输出端。该压控衰减器的衰减斜率误差减小。
本发明授权一种压控衰减器和射频芯片在权利要求书中公布了：1.一种压控衰减器，其特征在于，包括： 信号衰减电路，所述信号衰减电路包括传输干路和衰减支路，所述传输干路连接在射频链路中，所述衰减支路与所述传输干路连接；所述信号衰减电路，配置为经由所述衰减支路，对所述传输干路中的射频信号进行衰减； 第一控制电路，包括：电流镜结构；所述电流镜结构具有输入支路和输出支路，所述输出支路复制所述输入支路的电流；所述输入支路具有第一晶体管，所述第一晶体管的输出端与标准地之间连接第一电阻、且所述第一晶体管的输出端连接外部电压接口；所述输出支路具有第二晶体管，所述第二晶体管的输出端与标准地之间连接模拟支路，所述模拟支路与所述衰减支路的结构相同； 所述衰减支路包括第三晶体管，所述第三晶体管的控制端直接或间接连接所述第二晶体管的输出端；所述模拟支路包括模拟晶体管，所述模拟晶体管的控制端接收固定电压，且所述固定电压大于所述模拟晶体管的阈值电压。
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