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龙图腾网获悉长鑫新桥存储技术有限公司申请的专利存储器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111884B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510595161.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器的制造方法是由路坤;赵盼发设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器的制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种存储器的制造方法，包括：提供晶圆，晶圆上形成有待刻蚀层，晶圆包括多个芯片；在待刻蚀层上形成第一光刻胶膜；对第一光刻胶膜进行第一晶圆边缘曝光处理，第一晶圆边缘曝光处理具有第一曝光宽度；对第一光刻胶膜进行第一曝光处理以及第一显影处理，以形成具有第一图形的第一光刻胶层；以第一光刻胶层为掩膜，对待刻蚀层进行第一图形化处理，并去除第一光刻胶层；在待刻蚀层上形成具有第二图形的第二光刻胶层，第二光刻胶层包括位于晶圆的边缘上的第一光阻保留部；以第二光刻胶层为掩膜，对待刻蚀层进行第二图形化处理，并去除第二光刻胶层以及第一光阻保留部。本公开实施例有利于提高存储器的制造良率。

本发明授权存储器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，所述晶圆上形成有待刻蚀层，所述晶圆包括多个芯片； 在所述待刻蚀层上形成第一光刻胶膜； 对所述第一光刻胶膜进行第一晶圆边缘曝光处理，所述第一晶圆边缘曝光处理的第一边缘曝光区域具有第一曝光宽度； 对所述第一光刻胶膜进行第一曝光处理以及第一显影处理，以形成具有第一图形的第一光刻胶层，其中，所述第一曝光处理具有第一离焦宽度，所述第一离焦宽度小于或等于所述第一曝光宽度； 以所述第一光刻胶层为掩膜，对所述待刻蚀层进行第一图形化处理，并去除所述第一光刻胶层； 在所述待刻蚀层上形成具有第二图形的第二光刻胶层，所述第二光刻胶层包括位于所述晶圆的边缘上的第一光阻保留部，其中，形成所述第二光刻胶层的步骤包括第二曝光处理，所述第二曝光处理具有第二离焦宽度，所述第一光阻保留部的宽度大于或等于所述第二离焦宽度； 以所述第二光刻胶层为掩膜，对所述待刻蚀层进行第二图形化处理，并去除所述第二光刻胶层以及所述第一光阻保留部； 在所述待刻蚀层上形成第三光刻胶层，所述第三光刻胶层中具有第三图形，所述第三光刻胶层还包括位于所述晶圆的边缘的第二光阻保留部，所述第二光阻保留部为连续膜层； 其中，所述第二光阻保留部的宽度大于或等于所述第一曝光宽度。

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