湖北星辰技术有限公司王逸群获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北星辰技术有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法和测试方法、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120109122B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510579428.4，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体器件及其制造方法和测试方法、存储系统是由王逸群;杨道虹;袁娜;胡陈诚;刘淑娟设计研发完成，并于2025-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法和测试方法、存储系统在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法和测试方法、存储系统；其中，半导体器件包括沿第一方向依次层叠设置的半导体层、第一介质层和第二介质层；半导体结构，位于半导体层中；第一导电结构，位于第一介质层中；第一导电结构与半导体结构连接；第二导电结构，沿第一方向贯穿第二介质层且延伸至第一介质层中，第二导电结构与第一导电结构沿第一方向远离半导体结构的一端连接；衬垫结构，位于第二介质层中；衬垫结构与第二导电结构连接，且衬垫结构与第一导电结构彼此隔离；开口，位于第二介质层中；开口暴露出衬垫结构。如此，可以提高半导体器件的可靠性，以及降低制造工艺的难度，提高制造速率，降低制造成本。
本发明授权半导体器件及其制造方法和测试方法、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 沿第一方向依次层叠设置的半导体层、第一介质层和第二介质层； 半导体结构，位于所述半导体层中； 第一导电结构，位于所述第一介质层中；所述第一导电结构与所述半导体结构连接； 第二导电结构，沿所述第一方向贯穿所述第二介质层且延伸至所述第一介质层中，所述第二导电结构与所述第一导电结构沿所述第一方向远离所述半导体结构的一端连接； 衬垫结构，位于所述第二介质层中；所述衬垫结构与所述第二导电结构连接，且所述衬垫结构与所述第一导电结构彼此隔离； 阻挡层，位于所述第二导电结构与所述衬垫结构之间； 开口，位于所述第二介质层中；所述开口暴露出所述衬垫结构。
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