安徽华远装备科技有限公司潘宏胜获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽华远装备科技有限公司申请的专利一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的装置及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120026291B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510520079.9,技术领域涉及:C23C14/35;该发明授权一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的装置及方法是由潘宏胜;梅艳慧;张盼;江湖;叶显飞;鲁启昌;陈里险设计研发完成,并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的装置及方法在说明书摘要公布了:本发明涉及磁控溅射设备技术领域,具体涉及一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的装置及方法,通过真空腔室内壁与阴极靶材之间设有不锈钢片,不锈钢片的形状和尺寸可根据实际设备结构和磁场分布情况进行设计,用于调整靶材周围电场分布,装配时,先将两个底撑座上均提前装配好不锈钢片,安装一侧的底撑座时,通过两个横伸缩杆背向相接,两个竖伸缩杆的底端卡接入底槽内,同步调节两个横伸缩杆和竖伸缩杆的长度,再取下远离滑座一侧的L形撑杆,安装另一侧的底撑座时,将取下的L形撑杆插接入该侧底撑座上靠近滑座的底槽内,完成两侧的不锈钢片的准确对称布置,使得两侧阴极靶材达到相同的均匀溅射,提高靶材的整体利用率。
本发明授权一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的装置及方法在权利要求书中公布了:1.一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的装置,设于磁控溅射设备的真空腔室1内,其特征在于: 所述真空腔室1内沿其长度方向上平行设有阴极靶材2,阴极靶材2成圆柱形形状设计,阴极靶材2沿真空腔室1内宽度方向上的两侧对称设置,两侧的阴极靶材2之间平行设有辅助阳极3; 所述真空腔室1内沿其长度方向上的内壁与阴极靶材2之间设有不锈钢片4,不锈钢片4的底端可拆卸连接有底撑座5,底撑座5可拆卸连接于真空腔室1内底端; 所述底撑座5的顶端沿其宽度方向上滑动连接有滑座6,滑座6的顶端竖向滑动连接有用于固定放置不锈钢片4的卡座7,底撑座5的顶端沿其宽度方向上间隔开设有两个底槽51,卡座7的一侧开设有侧槽71; 还包括两个L形撑杆8,L形撑杆8包括竖伸缩杆81,以及固定于竖伸缩杆81顶端的横伸缩杆82,安装一侧的底撑座5时,通过两个横伸缩杆82背向相接,两个竖伸缩杆81的底端卡接入底槽51内,其中一个横伸缩杆82的端部插接入侧槽71内,用于同步调节两个横伸缩杆82和竖伸缩杆81的长度,通过取下远离滑座6一侧的L形撑杆8,用于插接入另一侧底撑座5上靠近滑座6的底槽51内。
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