买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉隆基绿能科技股份有限公司申请的专利一种背接触电池及其制造方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119744026B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411875149.4，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种背接触电池及其制造方法、光伏组件是由李云朋;魏俊喆;叶枫;方亮;徐希翔设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触电池及其制造方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本发明公开一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池的热斑风险，提高背接触电池的抗烧毁能力。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体层、第一界面钝化层、第二掺杂半导体层和透明导电层。第一掺杂半导体层设置于第一区域。沿半导体基底的厚度方向，第一界面钝化层和第二掺杂半导体层依次层叠设置于第二区域上、且延伸覆盖至部分第一掺杂半导体层上。透明导电层覆盖于第二掺杂半导体层上。第一掺杂半导体层靠近第二区域的边缘部分为孔洞分布区。第二掺杂半导体层的反向漏电部分通过第一界面钝化层至少覆盖孔洞结构的部分与第一掺杂半导体层电性连接，反向漏电部分上覆盖有由第二区域延伸过来的透明导电层。

本发明授权一种背接触电池及其制造方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括：半导体基底、第一掺杂半导体层、第一界面钝化层、第二掺杂半导体层和透明导电层；所述第二掺杂半导体层和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反； 所述半导体基底包括相对的第一面和第二面；所述第一面包括交替分布的第一区域和第二区域； 所述第一掺杂半导体层设置于所述第一区域上； 沿所述半导体基底的厚度方向，所述第一界面钝化层和所述第二掺杂半导体层依次层叠设置于所述第二区域上、且延伸覆盖至部分所述第一掺杂半导体层上； 所述透明导电层覆盖于所述第二掺杂半导体层上； 其中，所述第一掺杂半导体层靠近所述第二区域的边缘部分为孔洞分布区，所述孔洞分布区具有向内凹入的若干孔洞结构，所述孔洞结构的一维尺寸为微米级或纳米级； 所述第二掺杂半导体层包括反向漏电部分，所述反向漏电部分通过所述第一界面钝化层至少覆盖所述孔洞结构的部分与所述第一掺杂半导体层电性连接，且所述反向漏电部分上覆盖有由所述第二区域延伸过来的所述透明导电层； 沿所述第一区域的边缘至中心的方向，所述孔洞分布区的宽度与所述第一掺杂半导体层的宽度之间的比值大于等于1％、且小于等于15％；和或，沿所述第一区域的边缘至中心的方向，所述孔洞分布区的宽度小于30μm；和或，在所述第一区域，所述第一掺杂半导体层与所述第二掺杂半导体层交叠的部分为交叠区；沿所述第一区域的边缘至中心的方向，所述孔洞分布区的宽度与所述交叠区的宽度之间的比值大于等于5％、且小于等于30％。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人隆基绿能科技股份有限公司，其通讯地址为：710100 陕西省西安市长安区航天中路388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。