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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种缺口-缺陷交互作用下的高应力体积确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119558134B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411689283.5，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种缺口-缺陷交互作用下的高应力体积确定方法是由朱顺鹏;牛晓鹏;刘焱;宋星;罗昌齐;邹皓;张甜甜;孟德彪设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种缺口-缺陷交互作用下的高应力体积确定方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种缺口‑缺陷交互作用下的高应力体积确定方法，属于损伤容限评估与疲劳强度预测技术领域，包括：通过有限元分析计算出包含缺陷缺口构件结构中缺口根部的应力分布数据，输出轴向应力与名义应力比值；计算所述缺口构件结构的虚拟缺陷尺寸；利用临界距离方法，结合所述比值，计算包含缺陷缺口构件结构中缺口根部的应力集中参数；通过分析缺口和缺陷的竞争作用，结合所述虚拟缺陷尺寸和应力集中参数，计算出高应力体积区域。本发明综合考虑缺口和缺陷的交互作用，精准计算结构的高应力体积，有助于预测疲劳失效部位，从而提升疲劳评估的准确性。对任意尺寸与形状缺口结构件具有通用性，操作简便，适用面广。

本发明授权一种缺口-缺陷交互作用下的高应力体积确定方法在权利要求书中公布了：1.一种缺口-缺陷交互作用下的高应力体积确定方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、通过有限元分析计算出包含缺陷缺口构件结构中缺口根部的应力分布数据，输出轴向应力与名义应力比值Kt，S；所述缺口构件结构包括：准光滑件、C型缺口和V型缺口； S2、计算所述缺口构件结构的虚拟缺陷尺寸 S3、利用临界距离方法，结合所述比值Kt,S，计算包含缺陷缺口构件结构中缺口根部的应力集中参数Kt,0.5L； 所述步骤S3包括： 基于临界距离方法，将临界距离L设为ElHaddad参数 当临界距离的有效应力Δσeff等于无缺陷材料疲劳强度Δσw0时，缺口件的疲劳极限Δσw′表示为： Kt，0.5L为临界距离半长L2处的最大应力与名义应力之比；通过所述比值Kt，S与临界距离半长L2获得； S4、通过分析缺口和缺陷的竞争作用，结合所述虚拟缺陷尺寸和应力集中参数Kt，0.5L，计算出高应力体积区域；所述步骤S4中，具体包括： 设定缺陷与缺口的影响下材料疲劳强度相同，得式如下： Δσw＝Δσw’ 5 其中，Δσw′为不含缺陷的缺口件的疲劳极限，Kt，n％定义为应力集中系数Kt第n百分位数值，与缺口形状与临界缺陷特征相关；为实际缺陷尺寸； 将公式4和公式6联立获得用于判断高应力体积的应力集中系数阈值： 将步骤S2所得与步骤S3所得Kt，0.5L代入公式7，获得Kt,n％与缺陷间函数关系；其中，Kt,0.5L与均为范围，所得函数关系为曲线族，将范围值边界值代入计算，取上下边界曲线及中间范围即可； 缺口件高应力体积表达式为： 通过筛选出应力超过最大应力n％单元集合，即为该结构高应力体积Vn％。

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