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深圳市华星光电半导体显示技术有限公司林高波获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利一种显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115513301B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211214862.5,技术领域涉及:H10D30/67;该发明授权一种显示面板及其制备方法是由林高波;王玲玲设计研发完成,并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

一种显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请提供一种显示面板及其制备方法,显示面板包括:薄膜晶体管,薄膜晶体管包括:沟道、设置于沟道的两侧的第一导体部和第二导体部、层间绝缘层、第一电极和第二电极;其中,显示面板还包括第一过孔和第二过孔,第一过孔贯穿层间绝缘层并暴露第一导体部的表面和侧面,第一遮光导电件填充于第一过孔内,第二过孔贯穿层间绝缘层并暴露第二导体部的表面和侧面,第二遮光导电件填充于第二过孔内。本申请提供的显示面板中的第一遮光导电件和第二遮光导电件能够对薄膜晶体管的沟道进行更为有效的保护,大大降低薄膜晶体管出现因侧面光线照射沟道而产生的器件性能恶化、信赖性降低的问题的几率,提升薄膜晶体管的器件性能和显示面板的显示稳定性。

本发明授权一种显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:衬底基板、衬底层和设置于所述衬底层的一侧的薄膜晶体管,所述衬底基板位于所述衬底层背离所述薄膜晶体管的一侧;其中,所述薄膜晶体管包括: 有源层,设置于所述衬底层的一侧,包括沟道、设置于所述沟道的两侧的第一导体部和第二导体部; 层间绝缘层,设置于所述衬底层朝向所述有源层和所述有源层背离所述衬底层的一侧; 第一电极和第二电极,设置于所述层间绝缘层背离所述衬底层的一侧; 栅极,所述栅极在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极、所述第二电极在所述衬底基板上的正投影错位设置; 其中,所述显示面板还包括第一过孔和第二过孔、第一遮光导电件、第二遮光导电件以及遮光金属层,所述遮光金属层位于所述衬底基板与所述衬底层之间,所述遮光金属层与所述沟道、所述第一导体部以及所述第二导体部重叠; 所述第一过孔贯穿所述层间绝缘层并暴露所述第一导体部的表面和侧面,所述第一过孔的部分与所述遮光金属层错开,所述第一遮光导电件填充于所述第一过孔内,所述第一电极通过所述第一遮光导电件与所述第一导体部电性连接,所述第一遮光导电件同时与所述第一导体部的表面和侧面搭接,所述第一遮光导电件在所述衬底基板上的正投影与所述遮光金属层在所述衬底基板上的正投影至少部分不重叠,所述第一电极在所述有源层上的正投影完全覆盖所述第一导体部; 所述第二过孔贯穿所述层间绝缘层并暴露所述第二导体部的表面和侧面,所述第二过孔还贯穿所述衬底层并暴露所述遮光金属层,所述第二遮光导电件填充于所述第二过孔内,所述第二电极通过所述第二遮光导电件与所述第二导体部电性连接,所述第二遮光导电件同时与所述第二导体部的表面和侧面搭接,所述第二电极在所述有源层上的正投影完全覆盖所述第二导体部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,其通讯地址为:518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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