株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社松下宪一获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110022129.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由松下宪一;大黑达也设计研发完成，并于2021-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备半导体部分、终端绝缘膜、第一保护膜、第二电极、终端电极、第一绝缘膜、以及第二保护膜。所述半导体部分设于所述第一电极上。所述终端绝缘膜设于所述半导体部分上。所述第一保护膜设于所述终端绝缘膜上，包含硅以及氮。所述第二电极设于单元区域的所述半导体部分上。所述终端电极设于所述第一保护膜上，并与所述半导体部分连接。所述第一绝缘膜设于所述第一保护膜上，并配置于所述第二电极与所述终端电极之间。所述第一绝缘膜的上部配置于所述第二电极以及所述终端电极之上。所述第二保护膜覆盖所述第一绝缘膜上，包含硅以及氮。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，设定有单元区域以及包围所述单元区域的终端区域，其中，该半导体装置具备： 第一电极； 半导体部分，设于所述第一电极上； 终端绝缘膜，在所述终端区域中设于所述半导体部分上； 第一保护膜，设于所述终端绝缘膜上，包含硅以及氮； 第二电极，在所述单元区域中设于所述半导体部分上，且端部配置于所述第一保护膜上； 终端电极，在所述终端区域中设于所述第一保护膜上，并与所述半导体部分连接； 第一绝缘膜，设于所述第一保护膜上，并与所述第二电极的端部以及所述终端电极相接，所述第一绝缘膜的下部配置于所述第二电极与所述终端电极之间，所述第一绝缘膜的上部配置于所述第二电极以及所述终端电极之上，所述第一绝缘膜包含氢；以及 第二保护膜，覆盖所述第一绝缘膜的所述上部，包含硅以及氮。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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