中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司李善雄获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种栅极侧墙结构、其制造方法及DRAM获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110028165.X，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种栅极侧墙结构、其制造方法及DRAM是由李善雄;张月;杨涛;卢一泓;田光辉设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种栅极侧墙结构、其制造方法及DRAM在说明书摘要公布了：本发明涉及一种栅极侧墙结构、其制造方法及DRAM，属于半导体制造技术领域，用以解决现有工艺导致的栅极之间间距小，器件可靠性差的问题。栅极侧墙结构包括：半导体衬底；栅极，位于半导体衬底上；栅极侧墙，位于栅极的侧壁上；栅极侧墙的外侧面为凹向栅极侧壁方向的曲面。栅极侧墙的制造方法，包括：提供半导体衬底；在衬底上形成栅极材料层，对栅极材料层进行刻蚀，形成晶体管的栅极；在半导体衬底和栅极上形成栅极侧墙材料层；在栅极侧墙材料层上形成氧化绝缘膜；对氧化绝缘膜及栅极侧墙进行第一次化学机械平坦化处理；对氧化绝缘膜及栅极侧墙进行第二次化学机械平坦化处理。本发明增大了栅极之间电压，改善了器件可靠性。
本发明授权一种栅极侧墙结构、其制造方法及DRAM在权利要求书中公布了：1.一种栅极侧墙结构的制造方法，其特征在于，所述栅极侧墙结构包括：半导体衬底； 栅极，位于所述半导体衬底上； 栅极侧墙，位于所述栅极的侧壁上； 其中，所述栅极侧墙的外侧面为凹向所述栅极侧壁方向的曲面； 所述制造方法包括： 提供半导体衬底； 在所述衬底上形成栅极材料层，对栅极材料层进行刻蚀，形成晶体管的栅极； 在所述半导体衬底和栅极上形成栅极侧墙材料层； 在所述栅极侧墙材料层上形成氧化绝缘膜； 对氧化绝缘膜及栅极侧墙进行第一次化学机械平坦化处理；所述第一次化学机械平坦化处理为对栅极侧墙顶部的氧化绝缘膜及栅极顶部的栅极侧墙的处理； 对氧化绝缘膜及栅极侧墙进行第二次化学机械平坦化处理；所述第二次化学机械平坦化为对栅极侧墙及栅极侧墙外侧的氧化绝缘膜的处理。
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