苏州能讯高能半导体有限公司韩鹏宇获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695524B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011631134.5，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由韩鹏宇;裴轶;宋晰;吴星星设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括衬底、叠层结构及场板结构，所述叠层结构远离所述衬底的一侧设有源极、漏极及位于二者之间的栅极；场板结构位于源极、栅极远离叠层结构的一侧，所述场板结构包括场板主体、导电桥柱及场板接头，所述场板主体位于所述源极与所述漏极之间；所述场板接头位于所述源极远离所述叠层结构的表面；所述导电桥柱位于所述场板主体与所述场板接头之间，所述场板接头的数量为至少一个，所述导电桥柱的数量与所述场板接头的数量相同，且所述导电桥柱与所述场板接头一一对应连接。本申请在增大半导体器件的击穿电压，减小栅极的泄漏电流的同时，兼顾半导体器件的频率特性及稳定性。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 叠层结构，位于所述衬底的一侧，包括多层依次叠置的半导体层，所述叠层结构远离所述衬底的一侧设有源极、栅极及漏极，所述栅极位于所述源极与所述漏极之间； 场板结构，位于所述源极、所述栅极远离所述叠层结构的一侧，所述场板结构包括场板主体、导电桥柱及场板接头，所述场板主体位于所述源极与所述漏极之间；所述场板接头位于所述源极远离所述叠层结构的表面；所述导电桥柱位于所述场板主体与所述场板接头之间，所述导电桥柱的一端与所述场板主体连接且另一端与所述场板接头连接； 其中，所述场板接头的数量为至少一个，所述导电桥柱的数量与所述场板接头的数量相同，且所述导电桥柱与所述场板接头一一对应连接； 所述源极上设置有源极通孔； 所述场板接头在所述叠层结构的表面的正投影，与所述源极通孔在所述叠层结构的表面的正投影无重叠，或重叠面积小于所述场板接头在所述叠层结构的表面的正投影的面积的12。
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