浙江驰拓科技有限公司韩谷昌获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种磁性存储单元及磁性存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114694705B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011604390.5，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种磁性存储单元及磁性存储器是由韩谷昌;张恺烨;申力杰;杨晓蕾;刘波设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁性存储单元及磁性存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种本发明所提供的磁性存储单元，从下至上依次包括磁性参考层、隧道层、磁性自由层及盖帽层；所述磁性自由层包括多个存储结构单元；所述存储结构单元从下至上依次包括第一铁磁性层、非磁性金属间隔层、第二铁磁性层及氧化物界面层；所述磁性自由层侧壁覆盖有高导电层，所述高导电层的上边缘与所述盖帽层导电接触设置，所述高导电层的下边缘不低于第一存储结构单元的氧化物界面层；所述高导电层的下边缘与所述第一存储结构单元的第二铁磁性层不接触。本发明使多层存储结构单元间短路连接，降低层叠产生的串联电阻占磁性隧道结的总电阻的比值，降低磁性隧道结的总电阻，提升数据存储时长。本发明同时还提供了一种磁性存储器。
本发明授权一种磁性存储单元及磁性存储器在权利要求书中公布了：1.一种磁性存储单元，其特征在于，从下至上依次包括磁性参考层、隧道层、磁性自由层及盖帽层； 所述磁性自由层包括多个存储结构单元； 所述存储结构单元从下至上依次包括第一铁磁性层、非磁性金属间隔层、第二铁磁性层及氧化物界面层； 所述磁性自由层侧壁覆盖有高导电层，所述高导电层的上边缘与所述盖帽层导电接触设置，所述高导电层的下边缘不低于第一存储结构单元的氧化物界面层；其中，所述第一存储结构单元为距离所述隧道层最近的存储结构单元； 所述高导电层的下边缘与所述第一存储结构单元的第二铁磁性层不接触。
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