矽磐微电子(重庆)有限公司涂旭峰获国家专利权
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龙图腾网获悉矽磐微电子(重庆)有限公司申请的专利半导体封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582736B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011378925.1，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权半导体封装方法是由涂旭峰;霍炎设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体封装方法。所述半导体封装方法包括：形成包封结构，所述包封结构包括包封层及至少一个芯片，所述包封层上设置有至少一个内凹的腔体，所述至少一个芯片设置在所述至少一个内凹的腔体内，所述芯片的正面露出所述包封层，所述芯片的正面设有多个焊垫；在所述包封结构上形成再布线结构，所述再布线结构将所述芯片的焊垫引出；将设置有镂空部的绝缘膜层套在所述再布线结构上，所述再布线结构背离所述芯片的表面通过所述镂空部露出所述绝缘膜层。
本发明授权半导体封装方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括： 形成包封结构，所述包封结构包括包封层及至少一个芯片，所述包封层上设置有至少一个内凹的腔体，所述至少一个芯片设置在所述至少一个内凹的腔体内，所述芯片的正面露出所述包封层，所述芯片的正面设有多个焊垫； 在所述包封结构上形成再布线结构，所述再布线结构将所述芯片的焊垫引出； 将设置有镂空部的绝缘膜层套在所述再布线结构上，所述再布线结构背离所述芯片的表面通过所述镂空部露出所述绝缘膜层；所述镂空部贯穿所述绝缘膜层；所述再布线结构包括多个导电结构，所述绝缘膜层上设有多个所述镂空部，所述镂空部与所述导电结构一一对应，所述导电结构背离所述芯片的一侧通过对应的所述镂空部露出； 所述将设置有镂空部的绝缘膜层套在所述再布线结构上之前，所述半导体封装方法还包括：制备所述绝缘膜层；所述制备所述绝缘膜层包括： 提供绝缘材料层及冲压模具，所述冲压模具设有冲压部，所述冲压部与所述再布线结构的形状相同； 采用所述冲压模具的冲压部对所述绝缘材料层进行冲压，在所述绝缘材料层上形成所述镂空部，得到所述绝缘膜层。
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