LG电子株式会社黄圣贤获国家专利权
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龙图腾网获悉LG电子株式会社申请的专利发光元件及包括该发光元件的显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116508166B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080107472.0,技术领域涉及:H10H20/84;该发明授权发光元件及包括该发光元件的显示装置是由黄圣贤;许美姬;全基成设计研发完成,并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光元件及包括该发光元件的显示装置在说明书摘要公布了:发光元件包括:活性层;复数个第一导电型半导体层,位于活性层的下方;以及复数个第二导电型半导体层,位于活性层上。复数个第一导电型半导体层包括与活性层隔开最远的吸附防止层。吸附防止层包含Alx1Ga1‑x1InP,x1可以为0.6以下,吸附防止层的厚度可以为2μm以下。
本发明授权发光元件及包括该发光元件的显示装置在权利要求书中公布了:1.一种发光元件,其中,包括: 活性层; 复数个第一导电型半导体层,位于所述活性层的下方; 复数个第二导电型半导体层,位于所述活性层上; 屏蔽层,位于所述第一导电型半导体层的下方;以及 金属层,位于所述屏蔽层的下方, 所述金属层包括能够磁化的镍层, 复数个所述第一导电型半导体层包括与所述活性层隔开最远的吸附防止层, 所述吸附防止层包含Alx1Ga1-x1InP,所述x1为0.6以下,所述吸附防止层的厚度为2μm以下, 所述吸附防止层防止所述发光元件附着到基板的底面, 所述屏蔽层屏蔽所述第一导电型半导体层的Al电负性。
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