台湾积体电路制造股份有限公司柯忠廷获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于形成半导体器件和系统的沉积工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113035782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011197842.2，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权用于形成半导体器件和系统的沉积工艺是由柯忠廷;徐志安设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于形成半导体器件和系统的沉积工艺在说明书摘要公布了：本公开涉及用于形成半导体器件和系统的沉积工艺。一种方法包括：将半导体衬底置于沉积室中，其中，半导体衬底包括沟槽；以及执行原子层沉积ALD工艺以在沟槽内沉积电介质材料，包括：使电介质材料的第一前体作为气相流入沉积室；使电介质材料的第二前体作为气相流入沉积室；以及控制沉积室内的压力和温度，使得第二前体作为第二前体的液相凝聚在沟槽内的表面上，其中，第二前体的液相具有毛细现象。
本发明授权用于形成半导体器件和系统的沉积工艺在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括： 将半导体衬底置于沉积室中，其中，所述半导体衬底包括沟槽；以及 执行原子层沉积ALD工艺以在所述沟槽内沉积电介质材料，包括： 使所述电介质材料的第一前体作为气相流入所述沉积室； 使所述电介质材料的第二前体作为气相流入所述沉积室； 控制所述沉积室内的压力和温度，使得所述第二前体作为所述第二前体的液相凝聚在所述沟槽内的表面上，其中，所述第二前体的所述液相具有毛细现象；以及 不完全地清除未反应的第二前体，使得所述未反应的第二前体的一部分在所述沟槽的底部附近保留在所述液相中。
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