中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵海获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011153840.3，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵海;盛伟;张婷;赵君红;张彬;张继伟设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括相邻的器件区和伪图形区，器件区基底上有器件掩膜侧墙，伪图形区基底上有伪掩膜侧墙；在基底上形成填充层，覆盖器件掩膜侧墙和伪掩膜侧墙；在伪图形区中，刻蚀填充层和部分高度的伪掩膜侧墙，形成剩余伪掩膜侧墙，剩余伪掩膜侧墙和填充层围成沟槽；在沟槽侧壁形成侧壁保护层；刻蚀去除剩余伪掩膜侧墙；去除侧壁保护层；去除填充层；以器件掩膜侧墙为掩膜刻蚀基底。本发明通过两次刻蚀步骤去除伪掩膜侧墙，且在形成侧壁保护层之后，进行第二次刻蚀步骤，在侧壁保护层的保护作用下，降低器件掩膜侧墙被误刻蚀的概率，使得器件掩膜侧墙具有较低的线宽粗糙度，从而提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括相邻的器件区和伪图形区，所述器件区的基底上形成有器件掩膜侧墙，所述伪图形区的基底上形成有伪掩膜侧墙； 在所述基底上形成填充层，所述填充层覆盖所述器件掩膜侧墙和伪掩膜侧墙； 在所述伪图形区中，刻蚀所述填充层和部分高度的所述伪掩膜侧墙，形成剩余伪掩膜侧墙，所述剩余伪掩膜侧墙和所述填充层围成沟槽； 在所述沟槽的侧壁形成侧壁保护层； 形成所述侧壁保护层后，刻蚀去除所述剩余伪掩膜侧墙； 去除所述侧壁保护层； 去除所述侧壁保护层后，去除所述填充层； 去除所述填充层后，以所述器件掩膜侧墙为掩膜刻蚀所述基底。
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