中兴通讯股份有限公司杨鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉中兴通讯股份有限公司申请的专利一种集成电感及集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114255976B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010992671.6，技术领域涉及：H01F27/30；该发明授权一种集成电感及集成电路是由杨鹏;秦健;周围;王鸿;杨运东;程爽设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成电感及集成电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种集成电感及集成电路，其中集成电感包括磁芯和绕组，磁芯包括磁芯中柱、第一边柱、第二边柱、上磁芯底板和下磁芯底板；绕组包括绕制在第一边柱上的第一电感绕组，以及绕制在第二边柱上的第二电感绕组；第一电感绕组产生的磁通方向与第二电感绕组产生的磁通方向相反；第一电感绕组产生的磁通密度和第二电感绕组所产生的磁通密度不同；第一边柱和第二边柱上均设置有气隙，第一边柱的气隙和第二边柱的气隙不同。本发明实现了根据实际铜损和铁损的所占比重进行灵活调整，减小磁芯体积，减小磁芯损耗，提高电路效率。同时，本发明还针对散热和效率考虑进行差异化设计，进行磁损和铜损的折衷，使得磁性元件线圈及磁芯能最大限度利用。
本发明授权一种集成电感及集成电路在权利要求书中公布了：1.一种集成电感，其特征在千，包括磁芯和绕组，所述磁芯包括磁芯中柱、第一边柱、第二边柱、上磁芯底板和下磁芯底板； 所述绕组包括绕制在所述第一边柱上的第一电感绕组，以及绕制在所述第二边柱上的第二电感绕组； 所述第一电感绕组产生的磁通方向与所述第二电感绕组产生的磁通方向相反； 所述第一电感绕组产生的磁通密度和所述第二电感绕组所产生的磁通密度不同； 所述第一边柱和所述第二边柱上均设置有气隙，所述第一边柱的气隙和所述第二边柱的气隙不同； 所述第一电感绕组与所述第二电感绕组匝数不同，所述第一电感绕组和所述第二电感绕组匝数根据散热效果和或根据实际铜损和铁损所占比重进行调整，所述第一边柱的气隙和所述第二边柱的气隙根据所述第一电感绕组和所述第二电感绕组匝数确定。
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