中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司纪世良获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010963310.9，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由纪世良;肖杏宇;张海洋设计研发完成，并于2020-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干分立的纳米结构，相邻的纳米结构之间具有凹槽；在衬底上形成第一介质层和初始隔离结构，所述第一介质层的顶部表面低于所述纳米结构的顶部表面，且所述第一介质层位于所述初始隔离结构部分侧壁表面，所述初始隔离结构位于至少一个所述凹槽内；对第一介质层暴露出的所述初始隔离结构进行刻蚀，形成隔离结构。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在衬底上形成若干分立的纳米结构，相邻的纳米结构之间具有凹槽，所述纳米结构包括：第一区、位于第一区上的第二区以及位于第二区上的第三区，所述第一区包括底层纳米线，所述第二区包括若干复合层，所述复合层包括牺牲层和位于牺牲层上的纳米线； 在衬底上形成第一介质层和初始隔离结构，所述第一介质层的顶部表面低于所述纳米结构的顶部表面，且所述第一介质层位于所述初始隔离结构部分侧壁表面，所述初始隔离结构位于至少一个所述凹槽内； 对第一介质层暴露出的所述初始隔离结构进行刻蚀，形成隔离结构； 在衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述纳米结构，且所述隔离结构隔离相邻的栅极结构，所述栅极结构还位于相邻的纳米线之间以及纳米线和底层纳米线之间。
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