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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171459B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010955120.2，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由金吉松;亚伯拉罕·庾设计研发完成，并于2020-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括第一区；在第一区上形成第一栅介质结构；在第一栅介质结构上形成第一阻挡层；对第一阻挡层进行改性处理，形成改性层；在改性层上形成第一扩散层，第一扩散层内具有极化原子；对第一扩散层和第二扩散层进行退火处理，驱动位于第一扩散层内的极化原子扩散至第一栅介质结构内，形成第一极化层。通过对第一阻挡层进行改性处理，形成改性层，形成的改性层能够增强或减弱对极化原子的阻挡作用，从而避免了利用对第一阻挡层的堆叠层数来调节对极化原子的阻挡效果，简化了制程步骤，同时也避免了第一阻挡层的堆叠层数过多而较难填入到相邻的鳍部结构之间的问题，有效提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括第一区和第二区； 在所述第一区上形成第一栅介质结构； 在所述第二区上形成第二栅介质结构； 在所述第一栅介质结构上形成第一阻挡层； 在所述第二栅介质结构上形成第二阻挡层； 对所述第一阻挡层进行改性处理，形成改性层； 在所述改性层上形成第一扩散层，所述第一扩散层内具有极化原子； 在所述第二阻挡层上形成第二扩散层，所述第二扩散层内具有所述极化原子； 对所述第一扩散层和所述第二扩散层进行退火处理，驱动位于所述第一扩散层内的所述极化原子扩散至所述第一栅介质结构内，形成第一极化层，驱动位于所述第二扩散层内的所述极化原子扩散至所述第二栅介质结构内，形成第二极化层； 在形成第一极化层之后，在所述第一区上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构两侧的基底内具有第一源漏掺杂层，在所述第一区上形成第一晶体管结构； 在形成第二极化层之后，在所述第二区上形成第二栅极结构，所述第二栅极结构两侧的基底内具有第二源漏掺杂层，在所述第二区上形成第二晶体管结构。

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