台湾积体电路制造股份有限公司林民和获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利非共形帽盖层及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010935125.9，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权非共形帽盖层及其形成方法是由林民和;林政颐;陈俊纮;徐志安设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本非共形帽盖层及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开了非共形帽盖层及其形成方法。一种方法包括：形成突出结构；以及使用原子层沉积ALD工艺在突出结构上形成非共形膜。非共形膜包括位于突出结构正上方的顶部部分，以及突出结构的侧壁上的侧壁部分。该顶部部分具有第一厚度，并且该侧壁部分具有小于第一厚度的第二厚度。
本发明授权非共形帽盖层及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括： 形成突出半导体鳍；以及 在所述突出半导体鳍上形成电介质层； 使用原子层沉积ALD工艺在所述电介质层上形成非共形膜，其中，所述非共形膜包括： 顶部部分，位于所述电介质层的正上方，其中，所述顶部部分具有第一厚度；以及； 侧壁部分，位于所述电介质层的侧壁上，其中，所述侧壁部分具有小于所述第一厚度的第二厚度， 其中，所述非共形膜的底端高于所述突出半导体鳍的中间高度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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