索尼半导体解决方案公司波里亚·马斯塔法卢获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利成像元件、成像装置及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112468678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010770080.4，技术领域涉及：H04N25/44；该发明授权成像元件、成像装置及其方法是由波里亚·马斯塔法卢;黄仁成;弗雷德里克·布雷迪设计研发完成，并于2020-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本成像元件、成像装置及其方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种成像元件。所述成像元件包括第一像素。所述第一像素包括第一光电转换区域，其配置在第一基板中，并将入射光转换为第一电荷。所述第一像素包括第一读出电路，其包括第一转换器，所述第一转换器将所述第一电荷转换为第一对数电压信号。所述成像元件包括至少一个接合焊盘，其位于所述第一基板上并且与所述第一转换器电接触。所述至少一个接合焊盘与所述第一像素的至少一部分重叠。例如，本公开能够减少噪声、提供更多设计灵活性和或提高感度和速度。
本发明授权成像元件、成像装置及其方法在权利要求书中公布了：1.一种成像元件，包括： 第一像素，所述第一像素包括： 第一光电转换区域，其配置在第一基板中，并将入射光转换为第一电荷；和 第一读出电路，其包括第一转换器，所述第一转换器将所述第一电荷转换为第一对数电压信号； 至少一个接合焊盘，其位于所述第一基板上并且与所述第一转换器电接触，所述至少一个接合焊盘与所述第一像素的至少一部分重叠；和 第二基板，其经由所述至少一个接合焊盘接合到所述第一基板， 其中所述第一转换器包括配置在所述第一基板中的第一部分，其中所述第一部分包括与所述第一光电转换区域联接的晶体管，并且其中在平面图中，所述晶体管的源极比所述晶体管的漏极宽。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索尼半导体解决方案公司，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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