桑迪士克科技有限责任公司矢田信介获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利具有耗尽区位置控制的三维存储器器件及使用栅极感应泄漏将其擦除的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080080027.X，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权具有耗尽区位置控制的三维存储器器件及使用栅极感应泄漏将其擦除的方法是由矢田信介设计研发完成，并于2020-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有耗尽区位置控制的三维存储器器件及使用栅极感应泄漏将其擦除的方法在说明书摘要公布了：与半导体沟道和源极漏极区之间的物理p‑n结的位置无关的栅极感应泄漏电流可以通过采用在擦除操作期间激活的至少一个泄漏电流控制电路而在三维存储器器件的NAND串内提供。在该擦除操作期间，可以在一对竖直相邻的导电层之间形成累积区和反型区，其间具有耗尽区。在该擦除操作期间，该耗尽区可以产生多数电荷载流子并将其注入到该半导体沟道中。该耗尽区可以形成在该源极区或该漏极区中，并且可以不与物理p‑n结重叠。因此，电荷注入位置可以与该物理p‑n结的位置无关。
本发明授权具有耗尽区位置控制的三维存储器器件及使用栅极感应泄漏将其擦除的方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器器件，其特征在于，所述三维存储器器件包括： 绝缘层和导电层的交替堆叠，所述交替堆叠位于源极接触层上方； NAND串，所述NAND串竖直延伸穿过所述交替堆叠并且包括半导体材料堆叠，所述半导体材料堆叠包括从底部到顶部的源极区、半导体沟道和漏极区，并且包括横向围绕所述半导体材料堆叠的存储器膜，其中所述源极区接触所述源极接触层，并且其中第一物理p-n结位于所述源极区与所述半导体沟道之间，并且第二物理p-n结位于所述半导体沟道与所述漏极区之间；和 源极选择栅极控制电路，所述源极选择栅极控制电路被配置为在擦除操作期间将第一源极选择栅极偏置电压施加到所述导电层的第一源极侧子集并且在所述擦除操作期间将第二源极选择栅极偏置电压施加到覆盖在所述导电层的所述第一源极侧子集上面的所述导电层的第二源极侧子集，其中所述第一源极选择栅极偏置电压具有在由所述导电层的所述第一源极侧子集横向围绕的所述源极区的中间部分处产生累积区的量值和极性，并且所述第二源极选择栅极偏置电压具有在由所述导电层的所述第二源极侧子集横向围绕的所述源极区的上端部分处产生反型区并在所述反型区与所述累积区之间产生耗尽区的量值和极性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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