桑迪士克科技有限责任公司伊藤康一获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利包含水平和竖直字线互连的三维存储器器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080079867.4，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权包含水平和竖直字线互连的三维存储器器件及其形成方法是由伊藤康一;田中义信;时田博文设计研发完成，并于2020-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含水平和竖直字线互连的三维存储器器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种形成三维存储器器件的方法，该方法包括在衬底上方形成绝缘层和间隔物材料层的竖直交替序列，使得该间隔物材料层形成为导电层或随后用导电层替换；迭代地执行第一组非偏移层图案化加工步骤至少两次以形成包括在第一水平方向上延伸的一组阶梯式表面的台面区的第一部分；以及执行第二组偏移层图案化加工步骤以形成该台面区的第二部分并且沿着与该第一水平方向垂直的第二水平方向形成该竖直交替序列的图案化表面的阶梯式竖直剖面轮廓。
本发明授权包含水平和竖直字线互连的三维存储器器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成三维存储器器件的方法，所述方法包括： 在衬底上方形成绝缘层和间隔物材料层的竖直交替序列，其中所述间隔物材料层形成为导电层或者随后用导电层替换； 迭代地执行第一组非偏移层图案化加工步骤至少两次以形成包括在第一水平方向上延伸的一组阶梯式表面的台面区的第一部分并且沿着与所述第一水平方向垂直的第二水平方向形成所述竖直交替序列的纵向侧壁；以及 执行第二组偏移层图案化加工步骤以形成所述台面区的第二部分并且沿着与所述第一水平方向垂直的第二水平方向形成所述竖直交替序列的图案化表面的阶梯式竖直剖面轮廓。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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