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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利像素单元、显示基板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113629104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010386995.5，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权像素单元、显示基板及显示装置是由徐攀;林奕呈;王玲;王国英;张星;韩影设计研发完成，并于2020-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本像素单元、显示基板及显示装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种像素单元、显示基板及显示装置，属于显示技术领域。该像素单元中，存储电容包括依次层叠的第一电极、第二电极和第三电极。由于每相邻两层电极可以形成一电容，因此该存储电容可以由并联的两个电容组成，相应的，该存储电容的容值即为该并联的两个电容的容值之和。相对于相关技术，本申请记载的像素单元中存储电容的容值更大，进而，该像素单元包括的发光元件的发光准确度更高，包括该像素单元的显示基板显示效果较好。

本发明授权像素单元、显示基板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种像素单元，其特征在于，所述像素单元包括：位于衬底基板上的薄膜晶体管和存储电容；所述薄膜晶体管包括：有源层，栅极和源漏极；所述存储电容包括：依次层叠的第一电极、第二电极和第三电极； 其中，所述第一电极位于所述有源层靠近所述衬底基板的一侧，所述第一电极的材料包括金属材料，且所述第一电极还同所述栅极和所述源漏极均用于形成导线外接信号端； 所述第二电极与所述有源层位于同层，所述第二电极与所述有源层为一体结构； 所述第三电极与所述源漏极位于同层，所述第三电极与所述源漏极为一体结构，且所述第三电极与所述第一电极电连接； 其中，所述薄膜晶体管包括：驱动晶体管、开关晶体管和补偿晶体管； 所述源漏极包括源极和漏极；所述第二电极与所述驱动晶体管的栅极电连接，电连接的所述第三电极和所述第一电极与所述驱动晶体管的第一极电连接，所述第一电极在所述衬底基板上的正投影，与所述驱动晶体管的第二极在所述衬底基板上的正投影重叠； 所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极中的任一所述电极在所述衬底基板上的正投影，与所述开关晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影，所述开关晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影，以及所述开关晶体管的源漏极在所述衬底基板上的正投影均不重叠； 所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极中的任一所述电极在所述衬底基板上的正投影，与所述补偿晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影，所述补偿晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影，以及所述补偿晶体管的源漏极在所述衬底基板上的正投影均不重叠。

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