索尼半导体解决方案公司八木慎一郎获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利传感器芯片和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113474895B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080016433.X，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权传感器芯片和电子设备是由八木慎一郎;大竹悠介;伊东恭佑设计研发完成，并于2020-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本传感器芯片和电子设备在说明书摘要公布了：提供了一种具有雪崩光电二极管元件的SPAD像素的特性得到改善的传感器芯片和电子设备。传感器芯片设置有：像素阵列部，其具有其中以矩阵形状布置有多个像素的像素区域；雪崩光电二极管元件，其通过提供给像素的高电场区域分别放大载流子；像素间分离部，其绝缘和分离形成有雪崩光电二极管元件的半导体基板中的各个像素和与之相邻的另一个像素；配线，其分别设置在相对于半导体基板的与光接收面相对的一侧的表面层叠的布线层上，以覆盖至少高电场区域。像素阵列部具有位于像素区域的外围边缘附近的伪像素区域。在伪像素区域中布置的各个雪崩光电二极管元件的阴极电位和阳极电位彼此相等，或阴极电位和或阳极电位是浮动的。
本发明授权传感器芯片和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种传感器芯片，包括： 像素阵列部，其包括按行列状布置有多个像素的像素区域； 雪崩光电二极管元件，其通过针对各个所述像素设置的高电场区域放大载流子； 像素间分离部，其绝缘和分离形成有所述雪崩光电二极管元件的半导体基板中的各个所述像素和与之相邻的其他像素；和 配线，其以至少覆盖所述高电场区域的方式布置在配线层中，所述配线层层叠在与所述半导体基板的光接收面相对的表面上， 其中，所述像素阵列部包括位于所述像素区域的外围边缘附近的伪像素区域，并且 布置在所述伪像素区域中的所述雪崩光电二极管元件的阴极电位和阳极电位为相同电位，或阴极电位和阳极电位中的至少一者处于浮动状态。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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