三菱电机株式会社中野诚也获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利肖特基势垒二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930546B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080092316.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权肖特基势垒二极管是由中野诚也;友松佳史;阿多保夫设计研发完成，并于2020-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本肖特基势垒二极管在说明书摘要公布了：本发明涉及的肖特基势垒二极管具有：n型的半导体基板；至少1个p型的保护环，其设置于半导体基板的上表面侧；阳极电极，其设置于半导体基板的上表面；阴极电极，其设置于半导体基板的背面；以及绝缘膜，其设置于至少1个保护环中的最内侧的内侧保护环之上，阳极电极搭至绝缘膜之上，阳极电极的端部设置于内侧保护环的正上方，阳极电极与内侧保护环分离地设置，绝缘膜的厚度大于或等于1.0μm。
本发明授权肖特基势垒二极管在权利要求书中公布了：1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，具有： n型的半导体基板； 至少1个p型的保护环，其设置于所述半导体基板的上表面侧； 绝缘膜，其设置于所述至少1个保护环中的最内侧的内侧保护环之上； 阳极电极，其设置于所述半导体基板的上表面，搭至所述绝缘膜之上； 阴极电极，其设置于所述半导体基板的背面；以及 高电阻层，其电阻高于所述内侧保护环，将所述内侧保护环与所述阳极电极隔开， 所述高电阻层具有在所述半导体基板的上表面中的比所述绝缘膜更靠内侧处设置的电阻体， 所述内侧保护环在端部中的设置于所述半导体基板的内侧的那一侧具有从所述绝缘膜露出的露出部， 所述电阻体将所述露出部整体覆盖。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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