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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利形成半导体器件及其结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111585529B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010011870.4，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权形成半导体器件及其结构的方法是由J·J·丹尼尔斯;D·J·朱斯设计研发完成，并于2020-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成半导体器件及其结构的方法在说明书摘要公布了：本发明题为“形成半导体器件及其结构的方法”。在实施方案中，一种差分缓冲器可以包括第一输入级，该第一输入级将输入信号的非反相部分交替地与输出的非反相部分以及与输出的反相部分进行比较。该差分缓冲器的另一实施方案还可以包括第二输入级，该第二输入级将输入信号的反相部分交替地与输出信号的反相部分和输出信号的非反相部分进行比较。该差分缓冲器的其他实施方案可以包括反馈斩波开关，该反馈斩波开关将输出信号的非反相部分和输出信号的反相部分传送至第一输入级和第二输入级。

本发明授权形成半导体器件及其结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种差分缓冲器，包括： 第一差分输入放大器，所述第一差分输入放大器被配置为既接收差分输入信号的非反相部分又接收第一开关信号，并且形成包括第一非反相输出和第一反相输出的输出信号； 第二差分输入放大器，所述第二差分输入放大器被配置为既接收所述差分输入信号的反相部分又接收第二开关信号，并且形成包括第二非反相输出和第二反相输出的另一输出信号； 输出放大器，所述输出放大器具有被耦接为接收表示所述第一非反相输出和所述第二非反相输出的和的第一信号的非反相输入，所述输出放大器具有被耦接为接收表示所述第一反相输出和所述第二反相输出的和的第二信号的反相输入，所述输出放大器被配置为响应于所述第一信号和所述第二信号形成差分输出信号，其中，所述差分输出信号包括非反相输出信号和反相输出信号； 反馈斩波开关，所述反馈斩波开关被配置为接收所述非反相输出信号和所述反相输出信号； 正输入斩波开关，所述正输入斩波开关被配置为选择性地在第一时间间隔内将所述非反相输出信号或所述反相输出信号中的一个形成为所述第一开关信号，并且选择性地在第二时间间隔内将所述非反相输出信号或所述反相输出信号中的不同的一个形成为所述第一开关信号；和 负输入斩波开关，所述负输入斩波开关被配置为选择性地在所述第一时间间隔内将所述非反相输出信号或所述反相输出信号中的与在所述第一时间间隔内所述第一开关信号被用作的相反的那个形成为所述第二开关信号，并且选择性地在第二时间间隔内将所述非反相输出信号或所述反相输出信号中的与在所述第二时间间隔内所述第一开关信号被用作的相反的那个形成为所述第二开关信号。

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