普赛昆腾公司埃里克·达德利获国家专利权
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龙图腾网获悉普赛昆腾公司申请的专利利用后道工艺的集成波导式探测器的隔离获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113519057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980081565.8，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权利用后道工艺的集成波导式探测器的隔离是由埃里克·达德利;梁勇;法拉·纳杰菲;维马尔·卡米尼尼;安·梅里尼丘克设计研发完成，并于2019-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用后道工艺的集成波导式探测器的隔离在说明书摘要公布了：一种光学器件，包括：衬底、在衬底上的电介质层、在电介质层内的波导、在电介质层中并且耦合至波导的光敏部件例如，光电探测器、以及在衬底或电介质层的至少一者中的并且被配置成防止杂散光到达光敏部件的多个光隔离结构。在一些实施例中，多个光隔离结构中的光隔离结构包括两个相对侧壁和两个相对侧壁之间的填充材料。所述两个相对侧壁包括光学隔离层。所述填充材料由与衬底或电介质层中的至少一者的热膨胀系数匹配的热膨胀系数表征。
本发明授权利用后道工艺的集成波导式探测器的隔离在权利要求书中公布了：1.一种光子集成电路器件，包括： 衬底； 在所述衬底上的电介质层； 在所述电介质层内的波导； 在所述电介质层中的并且耦合至所述波导的光敏部件；和 在所述衬底和所述电介质层中的并且邻近于所述光敏部件的多个光隔离结构，所述多个光隔离结构被配置成反射或吸收杂散光，以防止所述杂散光到达所述光敏部件；并且 所述多个光隔离结构包括：处于所述衬底中的第一光隔离结构以及处于所述电介质层中的第二光隔离结构； 所述第一光隔离结构中的填充材料由与所述衬底的热膨胀系数匹配的热膨胀系数表征； 所述第二光隔离结构中的填充材料的热膨胀系数与所述电介质层的热膨胀系数匹配；以及 所述第一光隔离结构与所述第二光隔离结构对准或偏移。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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