上海凌世电磁技术有限公司彭新俊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海凌世电磁技术有限公司申请的专利小室高频过渡接头及宽频带的吉赫兹横电磁波小室获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120275687B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510764059.6,技术领域涉及:G01R1/04;该发明授权小室高频过渡接头及宽频带的吉赫兹横电磁波小室是由彭新俊;何元庆;杨润泽设计研发完成,并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本小室高频过渡接头及宽频带的吉赫兹横电磁波小室在说明书摘要公布了:本发明涉及GTEM小室技术领域,公开了小室高频过渡接头及宽频带的吉赫兹横电磁波小室,高频过渡接头包括四个连续的渐变过渡结构,渐变过渡结构外部包覆有外导体,内部设置有内导体,外导体与内导体之间形成的腔体填充有空气,内导体和外导体沿着第一结构体、第二结构体、第三结构体和第四结构体的顺序设置为圆同轴线到内外矩形同轴线的过渡结构;小室包括第一结构体作为馈电口、过渡接头、芯板、外导体侧板、吸波材料、背板和匹配电阻板。该高频过渡接头实现10kHz‑18GHz的频带范围内S1115dB,VSWR1.4,具有很好的阻抗特性;大功率小室通过把电阻板平行放置在小室背板,可容纳更多电阻,提高小室的功率,还使EUT测试区的面积更大,并且方便拆卸与更换,易于维护和升级。
本发明授权小室高频过渡接头及宽频带的吉赫兹横电磁波小室在权利要求书中公布了:1.宽频带的吉赫兹横电磁波小室,其特征在于,包括小室高频过渡接头、馈电口、芯板、外导体侧板、吸波材料、背板和匹配电阻板; 所述小室高频过渡接头包括四个连续的渐变过渡结构,所述渐变过渡结构外部包覆有外导体,内部设置有内导体,外导体与内导体之间形成的腔体填充有空气,所述渐变过渡结构包括固定连接在一起的第一结构体、第二结构体、第三结构体和第四结构体; 所述内导体沿着所述第一结构体、第二结构体、第三结构体和第四结构体的顺序依次从圆柱形、椭圆柱形渐变过渡为矩形柱形状; 所述外导体沿着所述第一结构体、第二结构体、第三结构体和第四结构体的顺序依次从圆锥体过渡为棱锥体,所述外导体的横截面逐渐增大; 所述内导体和外导体沿着第一结构体、第二结构体、第三结构体和第四结构体的顺序设置为圆同轴线到内外矩形同轴线的过渡结构; 所述馈电口与所述第一结构体连接,所述第四结构体对应的外导体与所述外导体侧板连接,内导体与所述芯板连接; 所述外导体侧板端口与背板固定,所述吸波材料设置在外导体侧板的内部空气腔内,其端部固定连接有基板,所述基板平行于所述背板固定设置在所述外导体侧板的内部; 所述匹配电阻板平行于所述背板固定在所述基板靠近所述背板的侧面,所述匹配电阻板中间位置和边缘位置设置有铜连接层,通过所述铜连接层连接所述芯板和外导体侧板。
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