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龙图腾网获悉北京青耘科技有限公司申请的专利三维集成存储芯片的测试方法及控制装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120279971B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510767408.X，技术领域涉及：G11C29/18；该发明授权三维集成存储芯片的测试方法及控制装置是由赵如月设计研发完成，并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维集成存储芯片的测试方法及控制装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种三维集成芯片的测试方法以及一种控制装置。所述测试方法中，先向三维集成存储芯片的第M存储层发送片选信号以选中第M存储层，之后通过逻辑电路层的IO接口对第M存储层进行读写操作，并且断开第M存储层接收写入数据的全局读出放大电路与对应的存储阵列之间的数据传输通路，使所述读写操作写入的数据隔离在全局读出放大电路，之后被读出并返回逻辑电路层，再判断读取的数据与写入的数据是否一致，若一致，则逻辑电路层与第M存储层之间的芯片互连通路无故障，若不一致，则存在故障。所述测试方法排除了存储阵列故障对测试结果的影响，提高了测试结果的精确性，有助于改进制作工艺。所述控制装置可执行上述测试方法。

本发明授权三维集成存储芯片的测试方法及控制装置在权利要求书中公布了：1.一种三维集成存储芯片的测试方法，其特征在于，所述三维集成存储芯片包括逻辑电路层以及在所述逻辑电路层的一侧依次堆叠的第1存储层至第N存储层，N为大于1的整数，所述逻辑电路层和各存储层通过至少一芯片互连通路垂向互连，各存储层包括通过相应的所述芯片互连通路连接所述逻辑电路层的全局读出放大电路以及通过所述全局读出放大电路获取数据的存储阵列；所述测试方法包括： 步骤一，通过所述逻辑电路层向第M存储层发送片选信号，以选中所述第M存储层，M为整数且1≦M≦N，其余存储层被所述片选信号屏蔽； 步骤二，通过所述逻辑电路层的IO接口对所述第M存储层进行读写操作，并且断开所述第M存储层接收写入数据的全局读出放大电路与对应的存储阵列之间的数据传输通路，使所述读写操作写入的数据隔离在所述全局读出放大电路，之后被读出并返回所述逻辑电路层； 步骤三，判断读取的数据与写入的数据是否一致，若一致，则所述逻辑电路层与所述第M存储层之间的所述芯片互连通路无故障，若不一致，则所述逻辑电路层与所述第M存储层之间的所述芯片互连通路存在故障。

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