西湖大学;中国科学院上海硅酸盐研究所周曼曼获国家专利权
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龙图腾网获悉西湖大学;中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120221414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510694919.3，技术领域涉及：H01L21/465；该发明授权一种氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片是由周曼曼;宋春燕;李西军;曹逊;黄爱彬;李冉冉设计研发完成，并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体制造技术领域，公开了一种氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片，其中，所述方法包括：在衬底上形成氧化钨薄膜；在氧化钨薄膜上形成具有目标图形的掩膜层；采用ICP刻蚀设备中的混合气体对具备掩膜层的氧化钨薄膜进行刻蚀；在ICP刻蚀设备中，混合气体包括三氟甲烷和氩气，三氟甲烷在混合气体中的占比范围为22.5%至74.1%，混合气体的流量为135‑155sccm，ICP功率与偏置功率的比值范围为1.53:1至3.3:1，氧化钨刻蚀结构的深宽比范围为10:1至23：1，氧化钨刻蚀结构的侧壁倾斜角为40‑90度，解决了相关技术中难以实现纳米级线宽高深宽比的氧化钨刻蚀结构的技术问题。
本发明授权一种氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片在权利要求书中公布了：1.一种氧化钨刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上形成氧化钨薄膜； 在所述氧化钨薄膜上形成具有目标图形的掩膜层； 采用ICP刻蚀设备中的混合气体对具备所述掩膜层的所述氧化钨薄膜进行刻蚀，以形成与所述目标图形匹配的氧化钨刻蚀结构；在所述ICP刻蚀设备中，所述混合气体由三氟甲烷和氩气组成，所述三氟甲烷在所述混合气体中的占比范围为22.5%至74.1%，所述混合气体的流量为135-155sccm，ICP功率与偏置功率的比值范围为1.53:1至3.3:1，所述氧化钨刻蚀结构的深宽比范围为10:1至23：1，所述氧化钨刻蚀结构的侧壁倾斜角为40-90度。
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