中国科学院半导体研究所李志聪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种基于结构化衬底的氧化镓半导体材料及其生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120174479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510654400.2，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种基于结构化衬底的氧化镓半导体材料及其生长方法是由李志聪;杨世凌;张逸韵;姚然;杨华;伊晓燕;王军喜设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于结构化衬底的氧化镓半导体材料及其生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种基于结构化衬底的氧化镓半导体材料及其生长方法。本发明提供的基于结构化衬底的氧化镓半导体材料生长方法，通过GaN成核层生长，在蓝宝石衬底或硅衬底的表面生长GaN缓冲层，然后高温重结晶，形成孤立岛状GaN成核层；再进行复合缓冲层生长，GaN成核层在氧气参与下进行高温退火，分立岛状结构的表面被氧化，最后进行氧化镓生长，在结构化复合缓冲层结构的表面生长氧化镓成核层及外延薄膜的生长，通过优化的氧化镓半导体材料生长方法，能够有效降低晶格失配和热膨胀系数差异，显著减少位错缺陷，获得了高质量的氧化镓外延层，提升了材料的晶体结构质量和性能。
本发明授权一种基于结构化衬底的氧化镓半导体材料及其生长方法在权利要求书中公布了：1.一种基于结构化衬底的氧化镓半导体材料生长方法，其特征在于，包括： 1）GaN成核层生长：在蓝宝石衬底或硅衬底的表面生长GaN缓冲层，然后高温重结晶，得到孤立岛状的GaN成核层；步骤1）中，所述GaN成核层中GaN晶核结构颗粒的水平方向为0.1-5um，垂直方向为0.1-1um； 2）复合缓冲层制备：将所述GaN成核层在氧气参与下进行高温退火处理，分立岛状结构的表面被氧化，得到结构化复合缓冲层结构；步骤2）中，所述结构化复合缓冲层的表面为被氧化的GaN层；所述被氧化的GaN层的厚度为1-100nm； 3）氧化镓成核层生长：在所述结构化复合缓冲层结构的表面生长氧化镓成核层； 4）氧化镓外延层生长：在所述氧化镓成核层的表面生长氧化镓外延层。
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