荣芯半导体(宁波)有限公司江凡获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利套刻标记结构及套刻误差测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120178617B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510655265.3，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻标记结构及套刻误差测量方法是由江凡设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻标记结构及套刻误差测量方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种套刻标记结构及套刻误差测量方法，所述套刻标记结构包括前层套刻标记和当层套刻标记，所述前层套刻标记包括多个第一子套刻标记，所述当层套刻标记包括多个第二子套刻标记，多个所述第一子套刻标记构成内部中空的第一方形，多个所述第二子套刻标记构成内部中空的第二方形，所述第一方形包围所述第二方形，且所述第一方形与所述第二方形的中心重合；每个所述第一子套刻标记均包括多个填充有标记材料的沟槽。本发明通过多个沟槽的设置来减少刻蚀时的负载效应问题，增加前层套刻标记位置处的刻蚀深度，从而保证前层套刻标记的完整可识别。
本发明授权套刻标记结构及套刻误差测量方法在权利要求书中公布了：1.一种套刻标记结构，其特征在于，包括前层套刻标记和当层套刻标记，所述前层套刻标记包括多个第一子套刻标记，所述当层套刻标记包括多个第二子套刻标记，多个所述第一子套刻标记构成内部中空的第一方形，多个所述第二子套刻标记构成内部中空的第二方形，所述第一方形包围所述第二方形，且所述第一方形与所述第二方形的中心重合；每个所述第一子套刻标记均包括多个填充有标记材料的沟槽； 所述沟槽的截面呈条形；一部分所述沟槽在第一方向上延伸且在第二方向上规则排列构成第一组沟槽，一部分所述沟槽在第二方向上延伸且在第一方向上规则排列构成第二组沟槽，所述第一子套刻标记包括两个第一组沟槽与两个第二组沟槽，第一个所述第一组沟槽与第一个所述第二组沟槽构成第一行，第二个所述第二组沟槽与第二个所述第一组沟槽构成第二行，且所述条形的中间区域的宽度小于两侧边缘区域的宽度；所述第一方向与所述第二方向相垂直。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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