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龙图腾网获悉上海川土微电子有限公司申请的专利一种均匀开启的GGNMOS结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187109B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510656696.1，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种均匀开启的GGNMOS结构是由郑瑞;沈国平;房祥梅;陈东坡设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种均匀开启的GGNMOS结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种均匀开启的GGNMOS结构，包括P型well掺杂类型阱区、环形P型重掺杂有源区、环形N型重掺杂有源区、N型well掺杂类型阱区、条形N型重掺杂有源区、环形多晶硅栅和中间P型重掺杂有源区。环形P型重掺杂有源区注入P型well掺杂类型阱区的边缘；环形N型重掺杂有源区位于P型重掺杂有源区的内侧，且和P型重掺杂有源区隔离设置；Nwell呈环形并位于衬底和环形N型重掺杂有源区之间；多个条形N型重掺杂有源区被环形N型重掺杂有源区包围；每一中间P型重掺杂有源区对应注入条形N型重掺杂有源区的中部。本发明的GGNMOS结构可以较容易地击穿产生雪崩电流，又可以迅速进入均匀的开启状态，解决了现有的多指GGNMOS导通不均匀的问题。

本发明授权一种均匀开启的GGNMOS结构在权利要求书中公布了：1.一种均匀开启的GGNMOS结构，其特征在于，包括： 形成于衬底上的P型well掺杂类型阱区； 环形P型重掺杂有源区，所述环形P型重掺杂有源区注入所述P型well掺杂类型阱区的边缘； 环形N型重掺杂有源区，所述环形N型重掺杂有源区注入所述P型well掺杂类型阱区的边缘，并位于所述环形P型重掺杂有源区的内侧，且和所述环形P型重掺杂有源区隔离设置； N型well掺杂类型阱区，所述N型well掺杂类型阱区呈环形注入所述P型well掺杂类型阱区内，并位于所述衬底和所述环形N型重掺杂有源区之间； 多个条形N型重掺杂有源区，多个所述条形N型重掺杂有源区间隔注入所述P型well掺杂类型阱区内，并被所述环形N型重掺杂有源区包围，且所述环形N型重掺杂有源区和所述多个条形N型重掺杂有源区隔离设置； 多个环形多晶硅栅，多个所述环形多晶硅栅间隔形成于所述P型well掺杂类型阱区的顶端，且每一所述环形多晶硅栅的两纵侧边对应位于相邻的两所述条形N型重掺杂有源区之间； 多个中间P型重掺杂有源区，每一所述中间P型重掺杂有源区对应注入被一所述环形多晶硅栅包围的所述条形N型重掺杂有源区的中部，且与所述条形N型重掺杂有源区隔离设置，所述中间P型重掺杂有源区通过金属接触孔接地设置，以降低中间寄生NPN基区到地的寄生电阻。

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