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龙图腾网获悉苏州中瑞宏芯半导体有限公司申请的专利基于嵌入式传感器的半导体封装结构健康监测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120177985B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510647797.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权基于嵌入式传感器的半导体封装结构健康监测方法及系统是由郝建勇;张振中;刘玮设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于嵌入式传感器的半导体封装结构健康监测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了基于嵌入式传感器的半导体封装结构健康监测方法及系统，属于半导体技术领域，其具体包括：通过电磁仿真确定寄生电容敏感区域，并在这些区域部署电容传感器以实时采集寄生电容值数据；数据处理模块接收数据后，采用动态阈值设定算法判断数据是否异常；若数据异常，则利用物理模型反推封装结构的物理状态变化，确定异常类型和位置；系统将异常信息整理成报警信息发送给操作人员，以便其利用协同维修平台资源进行检查和维修；提高了半导体封装结构的健康监测效率和准确性。

本发明授权基于嵌入式传感器的半导体封装结构健康监测方法及系统在权利要求书中公布了：1.基于嵌入式传感器的半导体封装结构健康监测方法，其特征在于，包括： 通过电磁仿真方法确定寄生电容的敏感区域，在敏感区域内使用电容传感器采集寄生电容值数据，并将采集到的寄生电容值数据传输至数据处理模块； 所述数据处理模块接收到寄生电容值数据后，使用动态阈值设定算法判断实时寄生电容值数据是否超出正常范围； 当实时寄生电容值数据超出正常范围时，利用预先建立的物理模型，根据寄生电容值数据的变化情况反推封装结构的物理状态变化，结合反推结果和封装结构的实际布局，确定封装结构的异常类型和位置； 将确定的异常类型和位置信息整理成报警信息，并发送至操作人员，操作人员根据报警信息，结合预建立的协同维修平台上的资源，对半导体封装结构进行检查和维修； 所述电容传感器具备自适应采样率，自动调整采样间隔，电容传感器采集寄生电容值数据的过程包括： A1：使用电磁仿真软件对电路进行建模，模拟寄生电容的产生和分布情况； A2：根据仿真模拟结果，确定寄生电容的敏感区域； A3：根据所述敏感区域的特点和测量需求，配置电容传感器的参数； A4：将电容传感器安装在敏感区域内，并对电容传感器进行校准； A5：根据校准后的电容传感器，采集寄生电容值数据，并按照自适应采样率功能自动调整采样间隔，其中，表示调整后的采样间隔，表示原始采样频率，表示调整系数； 所述A5中自适应采样率功能自动调整采样间隔包括： A5.1：设置电容传感器的自适应采样率参数，所述自适应采样率参数包括数据变化阈值、采样率上下限和、采样间隔调整步长和触发自适应调整条件，其中，表示新采集的寄生电容值数据值，表示旧寄生电容值数据值，表示设定的数据变化率阈值； A5.2：将电容传感器的采样率设置为预设的初始值，且； A5.3：启动电容传感器，开始采集寄生电容值数据，并按照进行采样； A5.4：在数据采集过程中，实时监测寄生电容值数据的变化，并通过差值计算方法得到相邻两次采样数据之间的变化量，并将计算得到的数据变化量与进行比较； 若，则继续以当前采样率进行数据采集； 若，则根据预设的采样间隔调整步长，自动调整采样间隔，并根据调整后的采样间隔，更新电容传感器的采样率。

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