晶能光电股份有限公司付羿获国家专利权
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龙图腾网获悉晶能光电股份有限公司申请的专利一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法、LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510614927.2，技术领域涉及：H10H20/80；该发明授权一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法、LED芯片是由付羿;王琼;周名兵;郭啸;张涛;涂逵设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法、LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法、LED芯片，在外延结构中分别针对电子弹道输运、量子阱中的量子斯塔克效应结构导致电子加速、热电子跃迁的情况分别设计了多级电子‑声子散射结构、多量子阱垒层中的量子阱层的禁带宽度逐级递增、InGaN台阶结构来抑制不同情况下的电子泄漏，有效提高了大电流下的外量子效率。
本发明授权一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法、LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，应用于大电流密度的LED芯片，包括：依次形成于生长衬底表面的缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型GaN电流扩展层、多级电子-声子散射结构、多量子阱垒层及p型电子阻挡层、p型GaN电流扩展层、p型欧姆接触层； 所述多级电子-声子散射结构由周期性的InGaN层和GaN层堆叠组成，周期数为3-5；朝向多量子阱垒层的方向上，各InGaN层的导带能级逐级递减； 所述多量子阱垒层由周期性的InGaN量子阱层和GaN量子垒层堆叠组成；朝向p型电子阻挡层的方向上，各InGaN量子阱层的禁带宽度逐级递增； 在多量子阱垒层中还形成有InGaN台阶结构，InGaN台阶结构位于靠近p型电子阻挡层的最后一个周期的量子阱层和量子垒层之间，由朝向p型电子阻挡层的方向上导带能级逐级递增的多个InGaN层组成。
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